1. 西山伸・木枝暢夫・篠崎和夫・加藤誠軌・水谷惟恭, "La2CuO4焼結体の電気的性質の組成依存性", 日本セラミックス協会学術論文誌, 97[10]
1123-28 (1990).
概要: 固相反応法で合成したLa2CuO4焼結体のLa/Cu比および酸素の不定比が電気的性質に及ぼす影響を調べ、キャリア生成機構を明らかにした。
2. N. Kieda, S.
Nishiyama, K. Shinozaki, N. Mizutani, "Nonstoichiometry and electrical
properties of La2CuO4 and La2(Cu,Ni) O4",
Solid State Ionics, 49, 85-8 (1991).
概要: La2CuO4およびCuを一部Niで置換した試料の電気特性と不定比性を調べ、Niの置換により、過剰酸素の不定比が増加し、これによって電気伝導度が上昇することを示している。
3. 西山伸・桜井修・篠崎和夫・水谷惟恭, "La2Cu1-xZnxO4+dの高温電気伝導",
日本セラミックス協会学術論文誌, 100[2] 187-90 (1992).
概要: La2CuO4のCuの一部をZnで置換した際の電子状態の変化をXPSにより求めた。Znの置換によって酸素が解離して、ホールが生成する反応のエンタルピー変化が大きくなった。また、この際に熱電的性質が低下した。
4. 服部豪夫・西山伸・福田宗之・岩舘泰彦, "アモルファスクエン酸錯体法によるガーネット型Gd3Al5O12粉末の調製", 日本セラミックス協会学術論文誌, 100[11]1381-3
(1992).
概要: アモルファスクエン酸錯体法を用いることによって、固相反応法では生成しないガーネット型の結晶構造を持つGd3A15O12の合成に成功した。またこの物質は1400℃以上の高温で分解することが分かった。
5. 服部豪夫・西山伸・岸靖夫・岩舘泰彦, "アモルファスクエン酸錯体法によるペロブスカイト型LaFeO3粉末の調製", 日本化学会誌, 1993[5] 673-6
(1993).
概要: アモルファスクエン酸錯体法を用いることによって、固相反応法と比較して数百℃低い温度で過熱することによって、ペロブスカイト型のLaFeO3粉末を合成することに成功した。また、得られた粉末の形状は平板状だった。
6. T. Hattori, S.
Nishiyama, Y. Kishi,Y. Iwadate, "Characterization of perovskite-type GdFeO3
Powders prepared by amorphous citrate process", J. Mater. Sci. Lett.,
12[12] 883-5 (1993).
概要: アモルファスクエン酸錯体法を用いて、ペロブスカイト型のGdFeO3粉末が合成できた。また、X線回折法により格子定数と結晶子径を評価し、その粉末の特性を調べた。
7. N. Wakiya, S.
Nishiyama,K. Shinozaki, N. Mizutani, "Electrical Conduction of new Compounds
Calcium Cerium Tin Oxide ((Ca,Ce)2SnO7) and Strontium
Cerium Tin Oxide ((Sr,Ce)2Sn2O7) with
Pyrochlore Structure" , J. Solid State Chem., 102 349-53
(1993).
概要: 立方晶パイロクロア型構造を持つ新規のCa-Ce-Sn-OおよびSr-Ce-Sn−O化合物を作製することに成功した。また、その電気的性質の測定から、キャリアは電子でホッピング伝導をすることが分かった。
8. Y. Iwadate, K.
Igarashi, T. Hattori, S. Nishiyama,K. Fukushima, J.Mochinaga, N. Igawa, H.
Ohno, "Short range structure of B2O3-Cs2O
glasses analyzed by x-ray diffraction and Raman spectroscopy", J.Chem.Phys.,
99[9] 6890-96 (1993).
概要: B2O3およびこれにCs2Oを加えたガラスの短距離構造をX線回折法により解析し、Csを添加することにより、BO3構造の一部がBO4へと変化することが分かった。
9. S. Nishiyama,
D. Sakaguchi, T. Hattori, "Electrical conductivity and thermoelectricity
of La2NiO4+d and La2(Ni, Co)O4+d", Solid
State Commun., 94[4] 279-82 (1995).
概要: La2NiO4+dおよび、Niの一部をZnで置換した試料の重量、電気伝導度およびゼーベック係数を室温から800℃の範囲で測定した。この物質の電気伝導は、縮退したホールによる伝導と高温での過剰酸素の脱離によって説明できた。
10. Y. Iwadate, T.
Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, "X-ray diffraction study on the short
range structure of a quasi-quarternary SiO2-Na2O-CaO-MgO
Glass", J. Matter. Sci. Lett., 14[1] 85-7 (1995).
概要: Na, CaおよびMgを含んだケイ酸塩ガラスの短距離秩序構造をX線回折法により調べ、SiO4構造が支配的であることが分かった。
11. S. Nishiyama,
D. Sakaguchi, T. Hattori, "The Mechanism of Multi-type Carrier Generation
of olycrystal Semiconductor BaInxO4(x=1.58-1.88)",
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 20, 577-78
(1996).
概要: BaInxO4の焼結体の電気特性を温度と雰囲気の酸素分圧を変えて測定し、この物質が温度が高く酸素分圧が低いほどn型になりやすいことを明らかにした。
12. Y. Iwadate, T.
Hattori, S. Nishiyama,K. Fukushima, N. Igawa, K. Noda, " Short-range
structural analysis of an oxide glass composed of light and heavy elements : 3B2O3-2PbO
glass by X-ray diffraction ", J. Mater. Sci. Lett., 15[9],
776-80 (1996).
概要: 鉛ホウ酸ガラスの短距離構造をX線回折測定により解析し、Pbの添加により局所構造が変化したことが分かった。
13. 岩舘泰彦・服部豪夫・西山伸・福島和子・菅原芳恵・中沢哲也・野田健治・辰巳砂昌弘・梅咲則正, "X線回折法によるLi2O-TeO2系ガラスのミクロ構造解析", 日本化学会誌 1998[7], 460-64 (1998).
概要: X線回折法を用いてテルライトガラスTeO2のミクロ構造を解析し、Liの添加によりTeO4三方両錐体からTeO3三方錐体へと変化する事を明らかにした。
14. S. Nishiyama,
T. Hattori, "Tendencies of p-Type Thermoelectric Oxide Semiconductor",
CSJ Series Volume 5, Electroceramics in Japan II, 67-70 (1999).
概要: Ln-Ni-O系、Li-Ni-O系、Na-Co-O系など遷移金属を含む様々な層状構造p型酸化物半導体について、電気伝導度とゼーベック係数を評価し、結晶構造と電気特性の関係について調べた。
15. Y. Iwadate, T.
Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, Y. Mochizuki, M. Misawa, T. Fukunaga, "Pulsed
Neutron Diffraction Study of the Short Range Structure in Amorphous Arsenic
Chalcogenides", J. Phys. Chem. Solids, 60(8-9), 1447-51
(1999).
概要: パルス中性子回折法により硫化ヒ素As2S3およびセレン化ヒ素As2Se3の局所構造を解析することに成功した。
16. K. Shirao, T.
Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, Y. Iwadate, M. Misawa, T. Fukunaga, T.
Nakazawa, K. Noda, "Neutron Diffraction Study on Network Structure of As2Se3-Ag2Se
Glasses and Selenium Coordination around Silver Atom", J. Phys. Chem.
Solids, 60(8-9), 1453-56 (1999).
概要: 中性子回折法により、As2Se3-Ag2Se系ガラスの極所構造を解析し、結晶より対象性は低いものの、三角形ピラミッド構造が存在していることが分かった。
17. H. Kenmotsu,
T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, Y. Iwadate, M. Misawa, T. Fukunaga, T.
Nakazawa, K. Noda, "Short range structure of B2O3-Rb2O3
glasses by neutron diffraction", J. Phys. Chem. Solids, 60(8-9),
1461-64 (1999.10).
概要: 中性子回折法により、B2O3-Rb2O3系ガラスの極所構造を解析し、最初に現れるピークをBO3平面ユニットBO4四面体ユニットからなるボロキソルリングによって説明した。
18. S. Nishiyama, T. Hattori, "Electrical
Conductivity and Thermoelectricity of ZnSb2O6 and (Zn1-xMx)Sb2O6
(M= Co, Ni, Cu) Ceramics", J. Ceram. Soc. Jpn., 108(5),
435-38 (2000).
概要: 3重ルチル構造をもつn型酸化物半導体であるZnSb2O6を合成し、その焼結体の電気特性を酸素分圧や置換元素量の関数として調べ、この材料の熱電特性を評価した。
19. Y. Iwadate, T.
Mori, T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, N. Umesaki, R. Akagi, K.Handa,
N.Ohtori, T.Nakazawa, A.Iwamoto, "X-ray Diffraction Study on the Short
Range Structure of K2O-TeO2 Glasses and Melts", J.
Alloys and Compds., 311, 153-58 (2000).
概要: アルカリテルライトガラスの構造をX線回折法により調べ、Kの添加によってTeO3の三方錐体が生成することが分かった。
20. Y. Iwadate, H.
Kenmotsu, T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, N. Umesaki, T. Nakazawa, K.
Noda, "X-ray Diffraction Study of the Short-range Structure of LiCl-Li2O-TeO2
Glasses", J. Alloys and Compds., 305, 130-35 (2000).
概要: アルカリテルライトガラスの構造をX線回折法により調べ、Liの添加によってTeO3の三方錐体が生成することが分かった。
21. E. Sukur, S. Nishiyama, T. Hattori, "Effect of UV-Irradiation on Crystallization and Morphology
of Zinc Oxide Films Prepared by Chemical Solution Deposition", J. Ceram.
Soc. Jpn., 109(1) 1-3 (2001).
概要: 化学溶液法を用いて酸化亜鉛薄膜をガラス基板上に析出させ、紫外線の照射がその表面形態と結晶性におよぼす影響について調べている。
22. T. Mori, Y.
Iwadate, T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, N. Umesaki, M. Misawa, H.
Munemura, T. Fukunaga, "Pulsed Neutron Diffraction and X-ray Diffraction
Study on the Short Range Structure of Na2O-TeO2 Glass and
Melts", J. Phys. Soc. Jpn. 70, Suppl. A 389-91 (2001).
概要: TeO2にNaを添加し、その短距離構造変化を中性子回折法とX線回折法により調べたところ、Naの増加および温度の上昇によって、TeO4のbipyramidがTeO3のpyramidへと変化することが分かった。
23. H. Ushida, Y.
Iwadate, T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima M. Misawa, T Fukunaga, "Pulsed
Neutron Diffraction Study on the Short Range Structure of B2O3-Ag2O
Glasses", J. Alloys and Compds., 327, 121-26 (2001).
概要: パルス中性子回折法により銀を添加したホウ酸ガラスの極所構造を解析し、銀の添加によって硼素と酸素よるボロキソルリング構造が変化することを明らかにした。
24. Edi Sukur, 服部豪夫, 岩舘泰彦, 西山 伸, "硝酸塩を原料とするゾル-ゲル法により調製した酸化亜鉛薄膜の結晶性、透過性及び表面形態", 日本化学会誌, 2002[1], 19-25 (2002).
概要: ゾルゲル法とディップコーティング法を併用して作製した酸化亜鉛薄膜の可視光透過性と表面形態に対し、作製時の溶媒の影響を明らかにした。
25. S. Nishiyama,
M. Kimura, T. Hattori, "P-type Electrical Conduction of LaInO3
Based Ceramics and Calculation of Its Density of States", CSJ Series
Volume 8, Electroceramics in Japan IV, 65-68 (2002).
概要: LaInO3の焼結体を合成し、高温でp型半導体となることを示した。また、これを第一次原理計算の結果と対応させて考察した。
26. 江口将行, 西山伸, 服部豪夫, "超音波噴霧熱分解法を用いたCa3Co4O9粉末の合成とその焼結体の電気的性質", 粉体および粉末冶金, 50[6], 480-484
(2003).
概要: 超音波噴霧熱分解法を用いてCa3Co4O9の微細粉末を調製し、これより得られた焼結体の焼結性を調べた。また、電気伝導度とゼーベック係数を測定することで、熱電特性について評価を行った。
27. S. Nishiyama,
A. Ichikawa, T.Hattori, "Thermoelectric Properties of CuO-Added AgSbO3
Ceramics", J. Ceram. Soc. Jpn., 112[5], 298-300 (2004).
概要: AgSbO3に2.5mass%のCuOを添加し焼結して得られた焼結体が、0.74×10-4Wm-1K-1という高い出力因子を示すことが明らかにした。
28. S. Nishiyama,
H. Nakamura, T. Hattori, "Thremoelectric Properties and Electronic Density
of States of Transition Metal Monoborides, FeB, CoB, NiB and their Solid
Solutions", J. Ceram. Soc. Jpn, Supple. 112-1, PacRim5 Special Issue,
112[5] S676-S680 (2004).
概要: 種々の遷移金属のほう化物のゼーベック係数について、第一次原理より計算した状態密度から予想されるものと測定で得られたものとが対応していることを示した。
29. S. Nishiyama,
J. Nagaoka and T. Hattori, "Thermoelectric Properties of Several Strontium
Ferrites, SrFe12O19, SrFeO3-x and Sr4Fe6O13+x",
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 29[6] 2825-2828 (2004).
概要: 鉄とストロンチウムの酸化物の系において、鉄とストロンチウムの比により様々な結晶構造が得られ、この組成と酸素の不定比により熱電変換特性が大きく依存することが分かった。
30. H. Ushida, Y.
Iwadate, T. Hattori, S. Nishiyama, K. Fukushima, Y. Ikeda, M. Yamaguchi, M.
Misawa, T Fukunaga, T. Nakazawa, S. Jitsukawa, "Network Structure of B2O3-PbO
and B2O3-PbO-PbBr2 Glasses Analyzed by Pulsed
Neutron Diffraction and Raman Spectroscopy", J. Alloys and Compds.,
377, 167-73 (2004).
概要: 鉛ホウ酸ガラスおよび臭化鉛を添加した鉛ホウ酸ガラスの短距離秩序構造をパルス中性子回折およびラマンスペクトル測定によって解析した。
31. K. Akiyama, T.
Kimura, S. Nishiyama, T. Hattori, N. Ohashi, H. Funakubo, "Electrical
Properties of b-FeSi2
Thin Films on Insulating Substrates", Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 796,
121-26 (2004).
概要: RFマグネトロンスパッタリング法により、絶縁体基板上にb-FeSi2薄膜を析出させ、その電気的性質を測定した。その結果、600℃を境に高温では真性バンド伝導、低温ではホッピング伝導をしていることが分かった。
32. Y. Iwadate, M.
Suzuki, T. Hattori, K. Fukushima, S. Nishiyama, M. Misawa, T. Fukunaga, K.
Itoh, "Evolution of Local Structure in Ag2O-TeO2
Glasses with Addition of Ag2O Analyzed by Pulsed Neutron Diffraction
and Raman Spectroscopy", J. Alloys and Compds., 389, 229-33
(2005).
概要: Ag2O-TeO2系ガラスの局所構造をパルス中性子回折およびラマン分光法により調べ、TeO4がAgの添加によりTeO3に変化することを示した。
33. S. Nishiyama, A. Ichikawa, T. Hattori,
"Effects of Nanosized Silver Particles on Termoelectric Properties of CuO-Added
AgSbO3 Ceramics", Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 30[2],
487-490 (2005).
概要: 銅を添加して焼結したAgSbO3の高い熱電特性は、焼結体中におけるナノスケールの銀粒子の分散状態に依存することを示した.
34. Shin
Nishiyama, Tsukasa Hayashi and Takeo Hattori, "Synthesis of ZrW2O8
by quick cooling and measurement of negative thermal expansion of the sintered
bodies", J. Alloys and Compds., 417[1-2],
187-189 (2006).
概要: 負の熱膨脹を示すZrW2O8は高温の炉から急冷することによって作製でき、その焼結体の熱膨脹が冷却速度に依存することを示した。
35. M. Segawa, S. Sato, M. Kobune,
T. Sodesawa, T. Kojima, S. Nishiyama, N. Ishizawa, ”Vapor-phase Catalytic Reactions of
Alcohols over Bixbyite Indium Oxide”
Journal of Molecular Catal. A: Chem., 310[1-2], 166-176 (2009).
概要:ビクスバイト構造を持つ酸化インジウム上でいくつかのアルコールの触媒反応を行わせたところ、In2O3の酸化還元サイトがアルコールの脱水に寄与していることが分かった。
36. Y. Nakamura, H. Kakemoto, S. Nishiyama,
H. Irie, “Synthesis and Thermoelectric
Properties of the Novel A-site Deficient Zn0.5Rh2O4
Compound” Journal of Solid State
Chemistry, 192 23-27 (2012).
概要: Aサイト欠損スピネルZn0.5Rh2O4を、Liを置換させて合成した。その性能指数は600℃で2.3×10-4W/mK2であった。
37. Nishiyama, S. , Asako, I. , Iwadate, Y.
and Hattori, T. “Preparation of Y(Mn1−xFex)O3 and
Electrical Properties of the Sintered Bodies.” Open Journal of Inorganic Chemistry,
5, 7-11. (2015)
概要:YMnO3とMnをFeで置換した試料を作製し、その格子定数、電気伝導度、ゼーベック係数を測定し、固溶限界を求め、測定結果を公表した。